فایل رایگان مقاله طراحي يک تقويت‌کننده توان فرکانس راديويي يکپارچه باند X مبتني بر فنّاوري AlGaN/GaN HEMT

    —         —     Siamak ADN

ارتباط با ما     —     لیست پایان‌نامه‌ها

... دانلود ...

بخشی از متن فایل رایگان مقاله طراحي يک تقويت‌کننده توان فرکانس راديويي يکپارچه باند X مبتني بر فنّاوري AlGaN/GaN HEMT :


تعداد صفحات : 12

DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.37.0.2.1591.32


در این مقاله یک تقویت‌کننده توان باند X مبتنی بر فنّاوری مدار مجتمع یکپارچه مایکروویو برای زیرسامانه‌های مخابراتی ماهواره‌های سنجشی طراحی، شبیه‌سازی و نهایتاً جانمایی شده است. جهت تحقق طرح، از پروسه ترانزیستورهای گالیم نیترید با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری حداقل طول گیت 500 نانومتر استفاده‌ شده است. ولتاژ تغذیه درین در این فناوری 40 ولت و ولتاژ تغذیه گیت 2- ولت می‌باشد. با توجه به اهمیت بهره‌وری در زیرسامانه‌های مخابرات فضایی، برای معماری مداری تقویت‌کننده پیشنهادی، از دوطبقه در کلاس E استفاده ‌شده است. بهره توان تقویت‌کننده حدود dB 25 و حداکثر توان خروجی آن dBm 49.3 در فرکانس 10 گیگاهرتز با در نظر گرفتن پهنای باند 2 مگاهرتز و بهره‌وری 49% حاصل شده است. برای کاهش اثر حافظه یک فیلتر میان‌گذر در خروجی تقویت کننده طراحی ‌شده است. مساحت نهایی اشغالی در سطح تراشه برای جانمایی به ابعاد 4.3×8.2 میلی‌متر حدود mm235 به‌دست‌آمده است، که فضای عمده جانمایی متعلق به فیلترمحدودکننده طیف توان خروجی می باشد. مقدار AM/PM و AM/AM در بدترین شرایط به ترتیب حدود deg/dB3.8- و dB/dB1 حاصل شده است. تقویت‌کننده دارای پایداری نامشروط در محدوده فرکانسی مطلوب بوده و مقدار تداخل تخریبی هارمونیک سوم نسبت به هارمونیک اول حدود dBc 21- به‌دست‌آمده است.

لینک کمکی