فایل رایگان بررسي عوامل موثر بر مشخصه هاي الکتريکي ترانزيستور تونلي کانال n با پيوند نامتجانس InAs-Si به منظور بهينه سازي عملکرد افزاره در ابعاد نانو

    —         —    

ارتباط با ما     —     لیست پایان‌نامه‌ها

... دانلود ...

بخشی از متن فایل رایگان بررسي عوامل موثر بر مشخصه هاي الکتريکي ترانزيستور تونلي کانال n با پيوند نامتجانس InAs-Si به منظور بهينه سازي عملکرد افزاره در ابعاد نانو :


سال انتشار : 1398

تعداد صفحات : 14

چکیده مقاله:

در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی متجانس سیلیسیومی (Si) و نامتجانس InAs-Si نوع n مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. به منظور طراحی یک افزاره بهینه، اثر پارامترهای ساختاری و فیزیکی بر مشخصه های الکتریکی افزاره تونلی متجانس و نامتجانس به طور کامل مورد بررسی قرار گرفته است. مطابق نتایج بدست آمده، افزایش تراکم ناخالصی سورس احتمال تونل زنی را افزایش داده و موجب بهبود جریان حالت روشن می گردد. همچنین با کاهش ضخامت بدنه و ضخامت اکسید گیت به نسبت جریان حالت روشن به خاموش (10)10 و سوئینگ زیر آستانه 7mV/dec دست یافتیم. در ادامه، تحلیل آماری داده ها جهت مشخص نمودن میزان تغییرات جریان حالت روشن، جریان حالت خاموش و سوئینگ زیر آستانه نسبت به پارامترهای ساختاری افزاره انجام شده است. تابع کار گیت، آلایش سورس و ضخامت عایق گیت از پارامترهای تاثیر گذار بر مشخصه الکتریکی ترانزیستور تونلی نامتجانس می باشند. از طرفی مشخصه های الکتریکی افزاره کمترین حساسیت را به طول کانال دارند که این امر بکارگیری افزاره تونلی را در ابعاد نانو تسهیل می کند.

لینک کمکی